9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFN90N170SK，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFN90N170SK参考价格为347.44000美元。IXYS IXFN90N170SK包装/规格：SICFET N-CH 1700V 90A SOT227B。您可以下载IXFN90N170SK英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFN82N60P是MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B，包括PolarHV？系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于Polar HiPerFET，以及SOT-227-4，miniBLOC封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为底盘安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SOT-227B，配置为单双源极，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1040W，晶体管类型为1个N通道，漏极至源极电压Vdss为600V，输入电容Cis-Vds为23000pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为72A，最大Id Vgs的Rds为75mOhm@41A，10V，Vgs最大Id为5V@8mA，栅极电荷Qg Vgs为240nC@10V，Pd功耗为1.04kW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为24 ns，上升时间为23ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为72A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs第栅极-源阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为75m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为79ns，典型导通延迟时间为28ns，Qg栅极电荷为240nC，正向跨导Min为50S，信道模式为增强。
IXFN80N50Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/63A，包括30 V Vgs栅极-源极电压，设计用于500 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供晶体管类型功能，如1 N通道，晶体管极性设计用于N通道，以及HyperFET商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为IXFN80N50，器件的上升时间为250纳秒，器件的漏极-源极电阻为65 mOhms，Qg栅极电荷为200 nC，Pd功耗为780 W，封装为管，封装外壳为SOT-227-4，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，Id连续漏极电流为63 a，并且配置是单一的。
IXFN82N60Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/66A，包括单一配置，它们设计为以66A Id连续漏极电流运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供多个通道功能，如1个通道，封装外壳设计用于SOT-227-4，以及管封装，该器件也可以用作960W Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为275 nC，器件的漏极-源极电阻为75 mOhms Rds，器件的上升时间为300 ns，系列为IXFN82N60，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道，Vgs栅极-源极电压为30V。
IXFN80N60P3是MOSFET Polar3 HiPerFET功率MOSFET，包括管封装，它们设计为与SOT-227-4封装盒一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供Si等技术特性，晶体管极性设计为在N沟道中工作，以及IXFN80N80系列，该器件也可以用作HyperFET商品名。此外，Rds漏极-源极电阻为70 mOhms，器件提供66 A Id连续漏极电流，器件具有600 V Vds漏极源极击穿电压，单位重量为1.340411盎司。
