9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN10A11KTC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN10A11KTC参考价格为0.31406美元。Diodes Incorporated ZXMN10A11KTC封装/规格：MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-2。您可以下载ZXMN10A11KTC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMN10A11GTA是MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223，包括ZXMN10A系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-223，配置为单双漏极，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为100V，输入电容Ciss Vds为274pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为1.7A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为350 mOhm@2.6A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为5.4nC@10V，Pd功耗为3.9 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为3.5ns，上升时间为1.7ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为2.4A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通-漏极电阻为450m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为7.4ns，典型开启延迟时间为2.7ns，信道模式为增强。
ZXMN10A09KTC是MOSFET N-CH 100V 5A DPAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如6.8 ns，典型的关闭延迟时间设计为27.5 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为ZXMN10系列，该器件的上升时间为5.3 ns，漏极电阻Rds为100 mOhms，Pd功耗为10.1 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为7.7 A，下降时间为12.3 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
ZXMN10A11G，带有ZETEX制造的电路图。ZXMN10A11G采用SOT-223封装，是FET的一部分-单个。
