9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN3A14FQTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN3A14FQTA参考价格为0.31406美元。Diodes Incorporated ZXMN3A14FQTA封装/规格：MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3。您可以下载ZXMN3A14FQTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMN3A06DN8TA是MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC，包括ZXMN3系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002610盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2信道数量的信道，器件具有供应商器件封装的8-SO，配置为双双漏极，FET类型为2 N信道（双），功率最大值为1.8W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为796pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.9A，最大值Rds Id Vgs为35mOhm@9A，10V，Vgs最大值Id为1V@250μA（最小值），栅极电荷Qg-Vgs为17.5nC@10V，Pd功耗为2.1W，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为9.4ns，上升时间为6.4ns，Vgs栅源电压为20V，Id连续漏电流为6.2A，Vds漏源击穿电压为30V，Rds漏源电阻为35mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21.6ns，典型接通延迟时间为3ns，沟道模式为增强。
ZXMN3A06DN8TC是MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC，包括1V@250μA（最小）Vgs和最大Id，它们设计为与8-SOP供应商设备包一起工作，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于35 mOhm@9A、10V，提供1.8W等最大功率特性，包装设计为在磁带和卷轴（TR）交替包装中工作，以及8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供796pF@25V输入电容Cis-Vds，器件具有17.5nC@10V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为4.9A。
ZXMN3A06N8TA是MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC，包括30V漏极到源极电压Vdss，它们设计为使用标准FET功能，FET类型如数据表注释所示，用于2 N通道（双通道），提供安装类型功能，如表面安装、，包装盒设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可以用作8-SOP供应商设备包装。
ZXMN3A14F，带有GP/ZETEX制造的EDA/CAD模型。ZXMN3A14F在SOT23封装中提供，是FET的一部分-单个。
