ZXMN6A09GQTA

Name: ZXMN6A09GQTA
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 7146307-ZXMN6A09GQTA
Price: 13.109649 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A (Ta) 最大功耗: 2W（Ta）供应商设备包装: SOT-223-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
交期:5-7 工作日

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10+	11.72625	117.26255
100+	9.14054	914.05400
500+	7.55072	3775.36150
1000+	5.96105	5961.05200
2000+	5.56363	11127.26800

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规格参数

部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 60 V
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
供应商设备包装 SOT-223-3
包装/外壳至261-4，至261AA
最大功耗 2W（Ta）
漏源电流 (Id) @ 温度 5.4A (Ta)
导通电阻 Rds(ON) 40毫欧姆 @ 8.2A, 10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1407 pF@40 V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 24.2 nC@10 V

ZXMN6A09GQTA 产品详情

Zetex的新一代沟槽MOSFET采用了一种独特的结构，将低导通电阻和快速开关速度的优点结合在一起。这使其成为高效、低压电源管理应用的理想选择。

应用
•DC-DC转换器
•电源管理功能
•断开开关
•电机控制

特色

•导通电阻低
•切换速度快
•低阈值
•低栅极驱动
•SOT223包装

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ZXMN6A09GQTA所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，ZXMN6A09GQTA 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。ZXMN6A09GQTA价格参考￥13.109649，你可以下载 ZXMN6A09GQTA中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询ZXMN6A09GQTA规格参数、现货库存、封装信息等信息！