9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN6A25N8TA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN6A25N8TA参考价格为0.68030美元。Diodes Incorporated ZXMN6A25N8TA封装/规格：MOSFET N-CH 60V 4.3A 8SO。您可以下载ZXMN6A25N8TA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMN6A25KTC是MOSFET N-CH 60V DPAK，包括ZXMN6A系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-3、DPAK（2引线+标签）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-252-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.11W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为1063pF@30V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为7A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为50 mOhm@3.6A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为20.4nC@10V，Pd功耗为2.11 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10.6 ns，上升时间为4ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为10.7A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为50mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为26.2ns，典型导通延迟时间为3.8ns，沟道模式为增强型。
ZXMN6A25GTC和用户指南ZXMN6A25 GTC在SOT223-3封装中提供，是IC芯片的一部分。
ZXMN6A25K是ZETEX制造的MOSFET N-CH 60V 7A DPAK。ZXMN6A25K提供TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单，支持MOSFET N-CH 60V 7A DPak、N沟道60V 7A（Ta）2.11W（Ta）表面安装TO-252-3。
