9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SUD19P06-60-BE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SUD19P06-60-BE3参考价格为1.23000美元。Vishay Siliconix SUD19P06-60-BE3封装/规格：MOSFET P-CH 60V 18.3A DPAK。您可以下载SUD19P06-60-BE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SUD19N20-90-E3是MOSFET N-CH 200V 19A DPAK，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及to-252-3、DPAK（2引线+标签）、SC-63封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为TO-252（D-Pak），配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为3W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为200V，输入电容Cis-Vds为1800pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为19A（Tc），最大Id Vgs的Rds为90mOhm@5A、10V，Vgs的最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为51nC@10V，Pd功耗为3W，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为60 ns，上升时间为50 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为19 A，Vds漏极-源极击穿电压为200 V，Rds漏极源极电阻为90 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为15ns，正向跨导最小值为35S，信道模式为增强。
SUD19N20-90-T4-E3是MOSFET N-CH 200V 19A TO252，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如15 ns，典型的关闭延迟时间设计为30 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为TrenchFET，该器件采用Si技术，该器件具有50纳秒的上升时间，漏极源极电阻Rds为90 mOhms，Pd功耗为3 W，零件别名为SUD19N20-90-T4，包装为卷轴，包装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为19 A，下降时间为60 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SUD19P06-60，电路图由Vishay制造。SUD19P06-60在DPAK封装中提供，是FET的一部分-单个。
