9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SUD50N04-8M8P-4BE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SUD50N04-8M8P-4BE3参考价格为1.35万美元。Vishay Siliconix SUD50N04-8M8P-4BE3封装/规格：MOSFET N-CH 40V 14A/50A DPAK。您可以下载SUD50N04-8M8P-4BE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SUD50N04-8M8P-4BE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SUD50N04-8M8P-4GE3是MOSFET N-CH 40V 14A TO-252，包括TrenchFETR系列，它们设计用于Digi-ReelR替代封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1信道信道数，器件具有TO-252，（D-Pak）供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为48.1W，晶体管类型为1 N信道，漏极到源极电压Vdss为40V，输入电容Ciss Vds为2400pF@20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为14A（Ta），50A（Tc），Rds On最大Id Vgs为8.8 mOhm@20A，10V，Vgs th最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为56nC@10V，Pd功耗为3.1 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为15纳秒，上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为14 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，Rds导通-漏极电阻为8.8毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45 ns，典型的开启延迟时间为30ns，信道模式为增强。
SUD50N04-25P，带有Vishay制造的用户指南。SUD50N04-25P采用DPAK（TO-252）封装，是IC芯片的一部分。
SUD50N04-37P是Vishay制造的MOSFET N-CH 40V 5.4A TO252。SUD50N04-37P采用TO-252封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 40V 5.4A TO252。
SUD50N04-8M8P，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SUD50N04-8M8P提供TO-252封装，是FET的一部分-单个。
