9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH30N85X，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH30N85X参考价格12.70000美元。IXYS IXFH30N85X封装/规格：MOSFET N-CH 850V 30A TO247AD。您可以下载IXFH30N85X英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXFH26N60Q是MOSFET 600V 26A，包括IXFH26N80系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，具有通孔等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可作为Si技术使用。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为360 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为32 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为26A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为250m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为30ns，正向跨导最小值为22S，沟道模式为增强型。
IXFH28N50Q是MOSFET N-CH 500V 28A TO-247，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于500 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如17 ns，典型的关闭延迟时间设计为51 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFH28N50系列，上升时间为20ns，漏极电阻Rds为200mOhms，Pd功耗为375W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为28 A，下降时间为12 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFH28N60P3是MOSFET 600V 28A 0.26Ohm PolarP3功率MOSFET，包括单一配置，它们设计为在19 ns的下降时间下工作，数据表注释中显示了30 S 18 S中使用的最小正向跨导，提供Id连续漏电流功能，如28 a，安装样式设计为在通孔中工作，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，封装为Tube，器件提供695W Pd功耗，器件具有50nC的Qg栅极电荷，Rds漏极-源极电阻为260mOhms，上升时间为18ns，系列为IXFH28N60，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，单位重量为0.056438oz，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极电压为30V，Vgs第h栅极-源阈值电压为5V。
