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FCH041N60E是MOSFET SuperFET2 41mohm，包括管封装，它们设计为以0.225401盎司的单位重量运行，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-247-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供592 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-50 C，下降时间为85 ns，上升时间为50 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为77 A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.5V至3.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为41mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为320ns，典型接通延迟时间为50ns，Qg栅极电荷为285nC，正向跨导最小值为71S。
FCH041N60F是MOSFET N CH 600V 76A TO247，包括5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与to-247-3供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于SuperFETR II，提供Rds on Max Id Vgs功能，如41 mOhm@38A，10V，功率最大设计用于595W，以及管封装，该器件也可用作TO-247-3封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有14365pF@100V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为360nC@110V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为600V，25°C的电流连续漏极Id为76A（Tc）。
FCG.3B.230.LN是FCG.3B的扣环。请联系技术支持团队了解更多FCG.3B.230.LN信息。
