9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFK50N85X，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFK50N85X参考价格为18.64000美元。IXYS IXFK50N85X封装/规格：MOSFET N-CH 850V 50A TO264。您可以下载IXFK50N85X英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXFK48N60P是MOSFET N-CH 600V 48A TO-264，其中包括IXFK48N80系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.352740盎司的数据表注释中，该产品提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及TO-264-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为830 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅源电压为30 V，并且Id连续漏极电流为48A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-电源电阻为135mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为85ns，典型接通延迟时间为30ns，正向跨导最小值为53S，沟道模式为增强。
IXFK48N50Q是MOSFET 48安培500V 0.1 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.352740盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如33 ns，典型的关闭延迟时间设计为75 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFK48N50系列，上升时间为22 ns，漏极电阻Rds为100 mOhms，Pd功耗为500 W，封装为管，封装盒为TO-264-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为48 A，下降时间为10 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFK48N60Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/48A，包括单一配置，它们设计为以48A Id连续漏电流运行，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供多个通道功能，如1个通道，封装盒设计用于to-264-3，以及管封装，该装置也可以用作1kW Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为140 nC，器件的漏极-源极电阻为140 mOhms Rds，器件的上升时间为300 ns，系列为IXFK48N60，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道，Vgs栅极-源极电压为30V。
