N信道增强模式雪崩额定，高dv/dt，低trr
特征
1.国际标准包装
2.EpoxymeetUL94V-0，可燃性分类
3.低RDS（开启）HDMOSTM工艺
4.坚固的多晶硅栅单元结构
5.雪崩能量和额定电流
6.快速固有整流器
IXFH26N65X2
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 460W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 83.80035 | 83.80035 |
| 10+ | 77.02824 | 770.28242 |
| 100+ | 65.05500 | 6505.50040 |
| 500+ | 57.87077 | 28935.38550 |
| 1000+ | 54.42387 | 54423.87500 |
- 库存: 0
- 单价: ¥83.80035
-
数量:
- +
- 总计: ¥83.80
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 包装/外壳 至247-3
- 漏源电流 (Id) @ 温度 26A（Tc）
- 漏源电压标 (Vdss) 650 V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 45 nC @ 10 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 2.5毫安
- 最大功耗 460W (Tc)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2450 pF@25 V
- 供应商设备包装 TO-247 (IXFH)
- 导通电阻 Rds(ON) 130毫欧姆@500毫安，10V
- 色彩/颜色 White
IXFH26N65X2 产品详情
IXFH26N65X2 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| IXFN27N120SK | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 供应商设备包装: SOT-227B | ¥341.95904 |
 | IXFN130N90SK | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 900V 供应商设备包装: SOT-227B | ¥1,056.23935 |
 | IXFP3N120 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥61.49222 |
 | IXFH50N20 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥81.33777 |
 | IXFH50N30Q3 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 690W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥96.25814 |
 | IXFT120N25X3HV | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 520W (Tc) 供应商设备包装: TO-268AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥104.73233 |
 | IXFT50N85XHV | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 850 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 890W (Tc) 供应商设备包装: TO-268HV (IXFT) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥138.04967 |
 | IXFH16N120P | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 660W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥150.86961 |
 | IXFT170N25X3HV | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 170A（Tc） 最大功耗: 960W（Tc） 供应商设备包装: TO-268HV (IXFT) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥158.98166 |
| IXFN180N10 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | ¥68.49538 |
IXFH26N65X2所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXFH26N65X2 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXFH26N65X2价格参考￥83.800353，你可以下载 IXFH26N65X2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXFH26N65X2规格参数、现货库存、封装信息等信息！
艾赛斯.力特 (IXYS)
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