- 适用于开关（电机驱动等）和负载开关应用的MOSFET
- 低导通电阻、高速切换和高鲁棒性
RJK1056DPB-00#J5
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Ta） 最大功耗: 65W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 2500
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 2500+ | 9.67651 | 24191.28500 |
- 库存: 0
- 单价: ¥9.67651
-
数量:
- +
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 41 nC @ 10 V
- 包装/外壳 SC-100，SOT-669
- 最大功耗 65W (Tc)
- 供应商设备包装 LFPAK
- 漏源电流 (Id) @ 温度 25A（Ta）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3000 pF @ 10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 14欧姆@12.5A，10V
RJK1056DPB-00#J5 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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RJK1056DPB-00#J5所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RJK1056DPB-00#J5 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RJK1056DPB-00#J5价格参考￥9.676514，你可以下载 RJK1056DPB-00#J5中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RJK1056DPB-00#J5规格参数、现货库存、封装信息等信息！
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...
