9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZVN4306GVTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZVN4306GVTA参考价格为0.84407美元。Diodes Incorporated ZVN4306GVTA封装/规格：MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223。您可以下载ZVN4306GVTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZVN4306GTA是MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223，包括ZVN4306系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-223，配置为单双漏极，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为3W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为350pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.1A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为330 mOhm@3A，10V，Vgs最大Id为3V@1mA，Pd功耗为3 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为2.1A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为450m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为8ns，沟道模式为增强。
ZVN4306G，带有ZETEX制造的用户指南。ZVN4306G采用SOT-223封装，是FET的一部分-单个。
ZVN4306GV，带有ZETEX制造的电路图。ZVN4306GV采用SOT-223封装，是IC芯片的一部分。
