9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFA4N100P-TRL，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFA4N100P-TRL参考价格为2.60443美元。IXYS IXFA4N100P-TRL封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 4A TO263。您可以下载IXFA4N100P-TRL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXFA4N100Q是MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263，包括HiPerFET？系列，它们设计为使用管交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，该设备也可以用作Si技术，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为TO-263（IXFA），配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为150W，晶体管类型为1个N通道，漏极-源极电压Vdss为1000V（1kV），输入电容Cis-Vds为1050pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4A（Tc），Rds最大Id Vgs为3 Ohm@2A、10V，Vgs最大Id为4.5V@1.5mA，栅极电荷Qg-Vgs为39nC@10V，Pd功耗为150 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为18 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为4 A，Vds漏极-源极击穿电压为1000 V，Rds漏极源极电阻为3欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为32 ns，典型开启延迟时间为17ns，信道模式为增强。
IXFA4N100P是MOSFET 4 Amps 1000V，包括6 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于1000 V，提供单位重量功能，如0.056438 oz，典型开启延迟时间设计为24 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以Polar HiPerFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXFA4N100，上升时间为36 ns，漏极-源极电阻Rds为3.3欧姆，Qg栅极电荷为26 nC，Pd功耗为150 W，封装为Tube，封装盒为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为4 A，正向跨导最小值为1.8 S，下降时间为50 ns，信道模式为增强型。
IXFA3N120是MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于18 ns，提供Id连续漏极电流功能，如3A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件有一个封装管，Pd功耗为200W，漏极电阻Rds为4.5欧姆，上升时间为15纳秒，系列为IXFA3N120，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为32ns，典型接通延迟时间为17ns，单位重量为0.056438oz，Vds漏极-源极击穿电压为1200V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXFA3N80是MOSFET 3.6 Amps 800V 3.6 Rds，包括管封装，它们设计为与to-252-3封装盒一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供单级等配置功能，技术设计用于Si以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作IXFA3N30系列。此外，商品名为HyperFET，该器件以增强通道模式提供，该器件具有800V的Vds漏极-源极击穿电压，Rds导通漏极-漏极电阻为3.6欧姆，Id连续漏极电流为3.6A，典型关断延迟时间为25ns，Vgs栅极-源极电压为20V，下降时间为14ns，典型接通延迟时间为12ns，上升时间为11ns，Pd功耗为100W，晶体管类型为1N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.056438oz，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃。
