9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SUD35N10-26P-T4GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SUD35N10-26P-T4GE3参考价格为1.15830美元。Vishay Siliconix SUD35N10-26P-T4GE3封装/规格：MOSFET N-CH 100V 35A TO252。您可以下载SUD35N10-26P-T4GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SUD35N10-26P-E3是MOSFET N-CH 100V 35A TO252，包括卷轴封装，它们设计为以0.050717盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供8.3 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为10纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为12 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为4.4V，Rds导通漏极-漏极电阻为26mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为31nC，沟道模式为增强。
SUD35N10-26P-GE3是MOSFET N-CH 100V 35A DPAK，包括4.4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供单位重量功能，如0.050717盎司，典型开启延迟时间设计为10 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件具有10ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为26mOhms，Qg栅极电荷为31nC，Pd功耗为8.3W，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为12 A，下降时间为10 ns，配置为单一。
SUD35N10-26P，电路图由Vishay制造。SUD35N10-26P采用DPAK（TO-252）封装，是FET的一部分-单体。
