RJK2075DPA-00#J5A

规格参数

• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 场效应管特性 -
• 安装类别 表面安装
• 包装/外壳 8-PowerVDFN
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
• 漏源电压标 (Vdss) 200伏
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
• 工作温度 150摄氏度（TJ）
• 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 38 nC @ 10 V
• 漏源电流 (Id) @ 温度 20A（Ta）
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2200 pF@25 V
• 供应商设备包装 WPAK(3F) (5x6)
• 最大功耗 65W (Ta)
• 导通电阻 Rds(ON) 69毫欧姆 @ 10A, 10V