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FCH041N65F_F085，带有引脚细节，包括管封装，设计用于0.225401盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-247-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供595 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为39 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为76 A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为96mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为183ns，典型接通延迟时间为55ns，Qg栅极电荷为234nC，沟道模式为增强。
FCH041N65EFL4，带有Fairchild制造的用户指南。是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET 650V 76A NChn MOSFET SuperFET II、N沟道650V 76A（Tc）595W（Tc）通孔TO-247-4L、Trans MOSFET N-CH 650V 76B管、MOSFET 650V-76A NChnMOSFET Super II、FRFET。
FCH041N65F，带有FAIRCHILD制造的电路图。FCH041N65F在TO-247封装中提供，是FET的一部分-单个。
