9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH50N60X，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH50N60X参考价格为11.17067美元。IXYS IXFH50N60X封装/规格：MOSFET N-CH 600V 50A TO247。您可以下载IXFH50N60X英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFH50N50P3是MOSFET N-CH 500V 50A TO-247，包括IXFH50N60系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.056438盎司，具有通孔等安装方式功能，商品名设计用于Polar3 HiperFET，以及TO-247-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为1 N信道晶体管类型，该器件具有960 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为50 a，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为120m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为53ns，典型接通延迟时间为25ns，Qg栅极电荷为85nC，正向跨导最小值为27S，沟道模式为增强。
IXFH50N20是MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如18 ns，典型的关闭延迟时间设计为72 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFH50N20系列，上升时间为15 ns，漏极电阻Rds为45 mOhms，Pd功耗为300 W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为50 A，正向跨导最小值为32 S，下降时间为16 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IXFH4N100Q是MOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了18 ns的下降时间，提供Id连续漏极电流特性，如4 a，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件有一个封装管，Pd功耗为150W，漏极电阻Rds为3欧姆，上升时间为15ns，系列为IXFH4N100，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为32ns，典型接通延迟时间为17ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXFH50N30Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A，包括管封装，它们设计为与to-247-3封装盒一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供配置功能，如单，技术设计为在硅中工作，以及N沟道晶体管极性，该设备也可以用作IXFH50N30系列。此外，商品名为HyperFET，该器件提供80 mOhms Rds漏极-源极电阻，该器件具有690 W Pd功耗，Qg栅极电荷为65 nC，Id连续漏极电流为50 a，Vds漏极源极击穿电压为300 V，Vgs栅极-源极电压为30 V，上升时间为250 ns，晶体管类型为1 N沟道，通道数为1通道，单位重量为0.056438盎司。
