9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH80N25X3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH80N25X3参考价格为11.66000美元。IXYS IXFH80N25X3封装/规格：MOSFET N-CH 250V 80A TO247。您可以下载IXFH80N25X3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFH80N10Q是MOSFET 100V 80A，包括IXFH80N0系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，具有通孔等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可作为Si技术使用。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为360 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为70 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为15mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为68ns，典型接通延迟时间为30ns，正向跨导最小值为45S，沟道模式为增强。
IXFH80N10是MOSFET N-CH 100V 80A TO-247，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如41纳秒，典型的关闭延迟时间设计为90纳秒，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFH80N10系列，上升时间为63ns，漏极电阻Rds为12.5mOhms，Pd功耗为300W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为80 A，下降时间为26 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFH80N085是MOSFET N-CH 85V 80A TO-247，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了31 ns的下降时间，提供了连续漏电流特性，如80A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为300 W，漏极-源极电阻Rds为9 mOhms，上升时间为75 ns，系列为IXFH80N085，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为95ns，典型接通延迟时间为50ns，单位重量为0.056438oz，Vds漏极-源极击穿电压为85V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXFH80N15Q是由IXYS制造的MOSFET N-CH 150V 80A TO-247AD。IXFH80N15Q在TO-247-3封装中提供，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH 150V 80A TO-247AD、N沟道150V 80B（Tc）360W（Tc）通孔TO-247D（IXFH）。
