9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFA8N85XHV，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFA8N85XHV参考价格为5.72463美元。IXYS IXFA8N85XHV封装/规格：MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV。您可以下载IXFA8N85XHV英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFA7N100P是MOSFET 7安培1000V，包括IXFA7N 100系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于Polar HiPerFET，以及to-252-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，Pd功耗为300W，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为44ns，上升时间为49ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为7A，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Vgs栅-源极阈值电压为6V，Rds导通漏极-源极电阻为1.9欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为42ns，典型接通延迟时间为25ns，Qg栅极电荷为47nC，正向跨导最小值为3.6S，沟道模式为增强。
IXFA7N80P是MOSFET 7安培800V 1.44 Rds，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在800 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如28 ns，典型的关闭延迟时间设计为55 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFA7N80P系列，上升时间为32ns，漏极电阻Rds为1.4欧姆，Pd功耗为200W，封装为Tube，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为7 A，下降时间为24 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFA7N60P3是MOSFET 600V 7A，包括7 A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于to-263AA-3，提供管、漏极电阻等封装特性。设计用于1.15欧姆的漏极电阻，以及IXFA7N70P系列，该器件也可作为硅技术。此外，商品名为HyperFET，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件的单位重量为0.056438盎司，Vds漏极-源极击穿电压为600 V。
