9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ZVN310ASTOB,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。ZVN310ASTOB价格参考1.4美元。Diodes Incorporated ZVN310ASTOB封装/规格:MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE。您可以下载ZVN310ASTOB英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZVN3306FTA是MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3,包括ZVN3306系列,它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.000282盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,包装盒设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ)。此外,安装类型为表面安装,该器件以1通道数量的通道提供,该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3,配置为单一,FET类型为MOSFET N通道,金属氧化物,最大功率为330mW,晶体管类型为1 N通道,漏极至源极电压Vdss为60V,输入电容Cis-Vds为35pF@18V,FET特性为标准,25°C的电流连续漏极Id为150mA(Ta),最大Id Vgs的Rds为5 Ohm@500mA,10V,Vgs最大Id为2.4V@1mA,Pd功耗为330 mW,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为4 ns,上升时间为4纳秒,Vgs栅极-源极电压为20V,Id连续漏极电流为150mA,Vds漏极-源极击穿电压为60V,Rds导通漏极-漏极电阻为5欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为4ns,典型接通延迟时间为3ns,沟道模式为增强。
ZVN310A是MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3,包括20 V Vgs栅极-源极电压,它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作,单位重量显示在数据表注释中,用于0.016000盎司,提供典型的开启延迟时间功能,如5 ns,典型的关闭延迟时间设计为6 ns,以及1 N沟道晶体管类型,该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外,该技术为Si,该器件为ZVN310系列,该器件的上升时间为7ns,漏极电阻Rds为10欧姆,Pd功耗为625mW,封装为卷筒,封装外壳为TO-92-3,通道数为1通道,安装方式为通孔,其最低工作温度范围为-55℃,它的最大工作温度范围为+150℃,Id连续漏电流为200mA,下降时间为7ns,配置为单一,通道模式为增强。
ZVN3308FTA,带有ZETEX制造的电路图。ZVN3308FTA采用SOT23封装,是IC芯片的一部分。
ZVN310ASTOA是ZETEX制造的MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3。ZVN310ASTOA采用E-Line-3封装,是FET的一部分-单体,支持MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3、N沟道100V 200MA(Ta)625mW(Ta)通孔E-Line(TO-92兼容)。