9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ZVN4206AVSTOA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZVN4206AVSTOA参考价格为0.316美元。Diodes Incorporated ZVN4206AVSTOA封装/规格：MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE。您可以下载ZVN4206AVSTOA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZVN4206ASTZ是MOSFET N-Chnl 60V，包括ZVN4206系列，它们设计用于散装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.016000盎司，提供安装类型的功能，如通孔，封装盒设计用于to-92-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有700 mW的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为12纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为600 mA，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12ns，典型接通延迟时间为8ns，沟道模式为增强。
ZVN4206AV是MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.016000盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如8 ns，典型的关闭延迟时间设计为12 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为ZVN4206系列，该器件的上升时间为12 ns，漏极电阻Rds为1.5欧姆，Pd功耗为700 mW，封装为卷轴式，封装外壳为TO-92-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55℃，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为600 mA，下降时间为12 ns，配置为单一，通道模式为增强。
ZVN4206ATOA是ZETEX制造的MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3。ZVN4206ATOA采用E-Line-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3，N沟道60V 600mA（Ta）700mW（Ta）通孔E-Line（TO-92兼容）。
ZVN4206ASTOB是ZETEX制造的MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3。ZVN4206ASTOB采用E-Line-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3，N沟道60V 600mA（Ta）700mW（Ta）通孔E-Line（TO-92兼容）。
