9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ZXMN2A05N8TA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN2A05N8TA价格参考1.38美元。Diodes Incorporated ZXMN2A05N8TA封装/规格：MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC。您可以下载ZXMN2A05N8TA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMN20B28KTC是MOSFET N-CH 200V 1.5A DPAK，包括ZXMN20系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-252-3，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.2W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为200V，输入电容Cis-Vds为358pF@25V，FET特性为逻辑电平门，25°C时电流连续漏极Id为1.5A（Ta），最大Id Vgs的Rds为750 mOhm@2.75A，10V，Vgs的最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为8.1nC@5V，Pd功耗为4.3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为57.1ns，上升时间为76.9ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20V，Id连续漏极电流为2.3A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs第栅极-源阈值电压为1.6V，Rds导通漏极-漏极电阻为750mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为44.7ns，典型导通延迟时间为17.8ns，Qg栅极电荷为8.1nC，正向跨导Min为6.13S，信道模式为增强。
ZXMN2088DE6TA是MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26，包括1V@250μA Vgs th Max Id，设计用于2 N沟道晶体管类型，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于SOT-23-6以及ZXMN2系列，该器件也可以用作200 mOhm@1A、4.5V Rds On Max Id Vgs。此外，最大功率为1.1W，该器件采用磁带和卷轴（TR）封装，该器件具有SOT-23-6封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为279pF@10V，栅极电荷Qg-Vgs为3.8nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为1.7A。
ZXMN2088DE6是由DIODES制造的MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26。ZXMN2088DE6采用SOT-23-6封装，是FET阵列的一部分，支持MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26。
ZXMN2401E6TA，带有ZETEX制造的EDA/CAD模型。ZXMN2401E6TA采用SOT23-6封装，是IC芯片的一部分。
