G6N02L
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 1.8W（Tc） 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 谷峰 (GOFORD)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.42081 | 0.42081 |
- 库存: 10
- 单价: ¥0.42081
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.42
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4.5伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备包装 SOT-23-3
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1140 pF@10 V
- 场效应管特性 标准
- 漏源电流 (Id) @ 温度 6A (Tc)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12.5 nC@10 V
- 制造厂商 谷峰 (GOFORD)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 0.9V@250A.
- 最大功耗 1.8W（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 11.3毫欧姆@3A，4.5V
G6N02L 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| G6N02L | 谷峰 (GOFORD) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 1.8W（Tc） 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.42081 |
G6N02L所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，G6N02L 由 谷峰 (GOFORD) 设计生产，可通过久芯网进行购买。G6N02L价格参考￥0.420812，你可以下载 G6N02L中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询G6N02L规格参数、现货库存、封装信息等信息！
谷峰 (GOFORD)
深圳市谷峰电子有限公司GOFORD SEMICONDUCTOR，于1995年在香港成立。现已在全球各地建立分公司、办事处和代理网络。国家高新技术企业。GOFORD专注于半导体功率元器件MOSFET场效应...
