9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN6A09KQTC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN6A09KQTC参考价格为0.78750美元。Diodes Incorporated ZXMN6A09KQTC封装/规格：MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252。您可以下载ZXMN6A09KQTC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMN6A09DN8TA是MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC，包括ZXMN6A系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于74 mg，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2信道数量的信道，器件具有供应商器件封装的8-SO，配置为双双漏极，FET类型为2 N信道（双），功率最大值为1.25W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为1407pF@40V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.3A，最大Id Vgs为40mOhm@8.2A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为24.2nC@5V，Pd功耗为2.1W，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为4.6ns，上升时间为5ns，Vgs栅源电压为20V，Id连续漏电流为5.1A，Vds漏源击穿电压为60V，Rds漏源电阻为40mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25.3ns，典型接通延迟时间为4.9ns，沟道模式为增强。
ZXMN6A09GTA是MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如4.9纳秒，典型的关闭延迟时间设计为25.3纳秒，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为ZXMN6A系列，该器件的上升时间为5 ns，漏极-源极电阻Rds为40 mOhms，Pd功耗为3.9 W，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-223-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为7.5 A，下降时间为4.6 ns，配置为单双漏，通道模式为增强。
ZXMN6A09DN8TC是MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC，包括4.3A电流连续漏极Id 25°C，设计用于60V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于24.2nC@5V，除了1407pF@40V输入电容Cis-Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，该器件具有磁带和卷轴（TR）交替封装，最大功率为1.25W，Rds On Max Id Vgs为40 mOhm@8.2A，10V，供应商器件封装为8-SOP，Vgs th Max Id为3V@250μa。
ZXMN6A09G，带有ZETEX制造的EDA/CAD模型。ZXMN6A09G采用SOT-223封装，是FET的一部分-单个。
