FDWS9508L-F085
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 214W(Tj) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 0
- 单价: ¥10.21104
-
数量:
- +
- 总计: ¥10.21
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±16V
- 场效应管类型 P-通道
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 部件状态 上次购买
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 107 nC@10 V
- 包装/外壳 8-PowerTDFN
- 漏源电流 (Id) @ 温度 80A (Tc)
- 供应商设备包装 8-PQFN (5x6)
- 导通电阻 Rds(ON) 4.9毫欧姆 @ 80A, 10V
- 最大功耗 214W(Tj)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4840 pF @ 20 V
FDWS9508L-F085所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDWS9508L-F085 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDWS9508L-F085价格参考¥10.211040,你可以下载 FDWS9508L-F085中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDWS9508L-F085规格参数、现货库存、封装信息等信息!
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...