9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFR40N50Q2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFR40N50Q2参考价格为2.024美元。IXYS IXFR40N50Q2封装/规格：MOSFET N-CH 500V 29A ISOPLUS247。您可以下载IXFR40N50Q2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFR34N80是MOSFET 800V 28A，包括IXFR34N60系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.186952盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为400 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为40 ns，上升时间为45 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为28A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Rds导通漏极-漏极电阻为240mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为45ns，正向跨导最小值为35S，沟道模式为增强型。
IXFR36N50P是MOSFET 500V 36A，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.186952盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如29 ns，典型的关闭延迟时间设计为82 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFR36N50系列，上升时间为23ns，Rds漏极源极电阻为190mOhms，Pd功耗为156W，封装为Tube，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为19 A，正向跨导最小值为35 S，下降时间为23 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IXFR36N60P是MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于22 ns，提供最小正向跨导特性，如40 S，Id连续漏电流设计为在20 a下工作，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为SMD/SMT，器件提供1信道数信道，器件具有TO-247-3封装盒，封装为管，Pd功耗为208 W，漏极电阻Rds为200 mOhms，上升时间为25 ns，系列为IXFR36N60，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为30ns，单位重量为0.186952oz，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极电压为30V。
IXFR38N80Q2是MOSFET 38 Amps 800V 0.24 Rds，包括管封装，它们设计为与to-247-3封装盒一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供了单级等配置功能，技术设计为在Si中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作IXFR38N60系列。此外，商品名为HyperFET，该器件以增强通道模式提供，该器件具有800V的Vds漏极-源极击穿电压，典型关断延迟时间为60ns，Pd功耗为416W，Rds漏极源极电阻为300mOhm，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为28A，典型的开启延迟时间为20ns，上升时间为16ns，下降时间为12ns，晶体管类型为1N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.056438oz，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃。
