9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZVN424ZTA,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。ZVN424ZTA参考价格为7.154美元。Diodes Incorporated ZVN424ZTA封装/规格:MOSFET N-CH 240V 300MA SOT89-3。您可以下载ZVN424ZTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如ZVN424ZTA价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
ZVN424GTA是MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223,包括ZVN424系列,它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.000282盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,封装盒设计用于to-261-4、to-261AA以及Si技术,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ)。此外,安装类型为表面安装,该器件提供1通道数量的通道,该器件具有供应商器件封装的SOT-223,配置为单双漏极,FET类型为MOSFET N通道,金属氧化物,最大功率为2.5W,晶体管类型为1 N通道,漏极到源极电压Vdss为240V,输入电容Ciss Vds为200pF@25V,FET特性为标准,电流连续漏极Id 25°C为500mA(Ta),最大Id Vgs上的Rds为5.5 Ohm@500mA,10V,Vgs最大Id为1.8V@1mA,Pd功耗为2.5W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为16 ns,上升时间为5ns,Vgs栅极-源极电压为40V,Id连续漏极电流为500mA,Vds漏极-源极击穿电压为240V,Rds导通漏极-漏极电阻为6欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为40ns,典型导通延迟时间为2.5ns,沟道模式为增强。
ZVN424G,带有ZETEX制造的用户指南。ZVN424G在SOT-223封装中提供,是FET的一部分-单个。
ZVN424GTC是ZETEX制造的MOSFET N-CH 240V 0.5A SOT223。ZVN424GTC在TO-261-4、TO-261AA封装中提供,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH 240V 0.5A SOT223、N沟道240V 500mA(Ta)2.5W(Ta)表面安装SOT-223。