9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDW254P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDW254P参考价格为0.754美元。onsemi FDW254P封装/规格：MOSFET P-CH 20V 9.2A 8TSSOP。您可以下载FDW254P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDW2521C是MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，包装箱如数据表注释所示，用于8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽），其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-TSSOP供应商设备包，该设备也可以用作N和P沟道FET类型。此外，最大功率为600mW，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有1082pF@10V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为5.5A、3.8A，Rds On Max Id Vgs为21mOhm@5.5A、4.5V，Vgs th Max Id为1.5V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为17nC@4.5V。
FDW2520C是MOSFET N/P-CH 20V 6A/4.4A 8TSSOP，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与8-TSSOP供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于PowerTrenchR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如18 mOhm@6A，4.5V，Power Max设计用于600mW，以及Digi-ReelR封装，该装置也可作为8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）包装箱使用，其工作温度范围为-55°C～150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件的输入电容Cis-Vds为1325pF@10V，栅极电荷Qg Vgs为20nC@4.5V，FET类型为N和P沟道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为6A，4.4A。
FDW252P是由FAIRCHILD制造的MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-TSSOP。FDW252P采用8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-TSSOP、P沟道20V 8.8A（Ta）1.3W（Ta）表面安装8-TSSOP和Trans MOSFET P-CH20V 8.8A 8-引脚TSSOP T/R。
