9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDW252P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDW252P参考价格为1.096美元。onsemi FDW252P封装/规格：MOSFET P-CH 20V 8.8A 8TSSOP。您可以下载FDW252P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDW2521C是MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，包装箱如数据表注释所示，用于8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽），其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-TSSOP供应商设备包，该设备也可以用作N和P沟道FET类型。此外，最大功率为600mW，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有1082pF@10V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为5.5A、3.8A，Rds On Max Id Vgs为21mOhm@5.5A、4.5V，Vgs th Max Id为1.5V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为17nC@4.5V。
FDW2516NZ是MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8TSSOP，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-TSSOP供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于PowerTrenchR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如30 mOhm@5.8A，4.5V，Power Max设计为1.1W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可作为8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有745pF@10V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为12nC@5V，FET类型为2 N通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为5.8A。
FDW2520C是MOSFET N/P-CH 20V 6A/4.4A 8TSSOP，包括6A、4.4A电流连续漏极Id 25°C，设计用于20V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如N和P通道，栅极电荷Qg Vgs设计用于20nC@4.5V，除了1325pF@10V输入电容Cis Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备采用8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）封装盒，该设备具有Digi-ReelR封装，功率最大为600mW，最大Id Vgs的Rds为18 mOhm@6A，4.5V，系列为PowerTrenchR，供应商设备封装为8-TSSOP，Vgs最大Id为1.5V@250μa。
