9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZVN4210GTC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZVN4210GTC参考价格为11.84美元。Diodes Incorporated ZVN4210GTC封装/规格：MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223。您可以下载ZVN4210GTC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZVN4210GTA是MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223，包括ZVN4210系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOT-223-3以及Si技术，该器件也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单双漏极，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有2 W的Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为800mA，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.8欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为4ns，沟道模式为增强。
ZVN4210ATZ是MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.016000盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如4 ns，典型的关闭延迟时间设计为20 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为ZVN4210系列，该器件的上升时间为8 ns，漏极电阻Rds为1.8欧姆，Pd功耗为700 mW，封装为散装，封装外壳为TO-92-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55℃，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为450 mA，下降时间为8 ns，配置为单一，通道模式为增强。
ZVN4210G，带有ZETEX制造的电路图。ZVN4210G采用SOT-223封装，是FET的一部分-单个。
