9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZVN4306ASTOB，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZVN4306ASTOB价格参考2.568美元。Diodes Incorporated ZVN4306ASTOB封装/规格：MOSFET N-CH 60V 1.1A E-LINE。您可以下载ZVN4306ASTOB英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZVN4306A是MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3，包括ZVN4306系列，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.016000盎司，提供通孔等安装方式功能，包装盒设计用于to-226-3、to-92-3（to-226AA）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-92-3，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为850mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为350pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为1.1A（Ta），最大Id Vgs的Rds为330 mOhm@3A，10V，Vgs的最大Id为3V@1mA，Pd功耗为850 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为25纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为1.1A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为450m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为8ns，沟道模式为增强。
ZVN4210GTA是MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如4 ns，典型的关闭延迟时间设计为20 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为ZVN4210系列，该器件的上升时间为8 ns，漏极电阻Rds为1.8欧姆，Pd功耗为2 W，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-223-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为800 mA，下降时间为30 ns，配置为单双漏，通道模式为增强。
ZVN4210GTC是由DIODES制造的MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223。ZVN4210GTC在TO-261-4、TO-261AA封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223。
ZVN4306具有DIODES制造的EDA/CAD模型。ZVN4306在SOT-223封装中提供，是FET的一部分-单个。
