9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ZVN424ASTOA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZVN424ASTOA参考价格$2.62。Diodes Incorporated ZVN424ASTOA封装/规格：MOSFET N-CH 240V 260MA E-LINE。您可以下载ZVN424ASTOA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZVN424A是MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3，包括ZVN424系列，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.016000盎司，具有通孔等安装方式特征，包装盒设计用于to-226-3、to-92-3（to-226AA）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-92-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为750mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为240V，输入电容Cis-Vds为200pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为260mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为5.5 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为1.8V@1mA，Pd功耗为750 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为5纳秒，Vgs栅极-源极电压为40V，Id连续漏极电流为260mA，Vds漏极-源极击穿电压为240V，Rds导通漏极-漏极电阻为6欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为2.5ns，沟道模式为增强。
ZVN4310GTA是MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如8 ns，典型的关闭延迟时间设计为30 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为ZVN4340系列，该器件具有25 ns的上升时间，漏极电阻Rds为750 mOhms，Pd功耗为3 W，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-223-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为1.67 A，下降时间为16 ns，配置为单双漏，通道模式为增强型。
ZVN4340GTC是由DIODES制造的MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223。ZVN4340GTC在TO-261-4、TO-261AA封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223。
