9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ZVN424GTC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZVN424GTC参考价格$2.5。Diodes Incorporated ZVN424GTC封装/规格：MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223。您可以下载ZVN424GTC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZVN424GTA是MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223，包括ZVN424系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-261-4、to-261AA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-223，配置为单双漏极，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为240V，输入电容Ciss Vds为200pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为500mA（Ta），最大Id Vgs上的Rds为5.5 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为1.8V@1mA，Pd功耗为2.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为5ns，Vgs栅极-源极电压为40V，Id连续漏极电流为500mA，Vds漏极-源极击穿电压为240V，Rds导通漏极-漏极电阻为6欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型导通延迟时间为2.5ns，沟道模式为增强。
ZVN424ASTZ是MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3，包括40 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在240 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.016000盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如2.5 ns，典型的关闭延迟时间设计为40 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为ZVN424系列，该器件的上升时间为5 ns，漏极电阻Rds为6欧姆，Pd功耗为750 mW，封装为散装，封装外壳为TO-92-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55℃，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为260 mA，下降时间为5 ns，配置为单一，通道模式为增强。
ZVN424G，带有ZETEX制造的电路图。ZVN424G在SOT-223封装中提供，是FET的一部分-单个。
