9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ZVNL120ASTOB，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZVNL120ASTOB价格参考1.972美元。Diodes Incorporated ZVNL120ASTOB封装/规格：MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE。您可以下载ZVNL120ASTOB英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZVNL110GTA是MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223，包括ZVNL110系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-223，配置为单双漏极，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.1W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为100V，输入电容Ciss Vds为75pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为600mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为3 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为1.5V@1mA，Pd功耗为2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为12ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为600mA，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型导通延迟时间为7ns，沟道模式为增强。
ZVNL120A是MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.016000盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如8 ns，典型的关闭延迟时间设计为20 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为ZVNL120系列，该器件的上升时间为8 ns，漏极电阻Rds为10欧姆，Pd功耗为700 mW，封装为卷筒，封装外壳为TO-92-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为180 mA，下降时间为8 ns，配置为单一，通道模式为增强。
ZVNL12，带有ZETEX制造的电路图。ZVNL12在SOT-223封装中提供，是FET的一部分-单个。
ZVNL120ASTOA是ZETEX制造的MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3。ZVNL120ASTOA采用E-Line-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3，N沟道200V 180mA（Ta）700mW（Ta）通孔E-Line（TO-92兼容）。
