9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH76N15T2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH76N15T2参考价格5.96200美元。IXYS IXFH76N15T2封装/规格：MOSFET N-CH 150V 76A TO247。您可以下载IXFH76N15T2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFH74N20P是MOSFET N-CH 200V 74A TO-247，包括IXFH74N2 0系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.229281盎司的数据表注释中，该产品具有通孔等安装方式功能，商品名设计用于PolarHT HiPerFET，以及TO-247-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为480 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为21 ns，上升时间为21纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为74A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为34mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为23ns，Qg栅极电荷为107nC，正向跨导Min为30S，并且信道模式是增强。
IXFH75N10是MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为80 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFH75N10系列，上升时间为60 ns，漏极电阻Rds为20 mOhms，Pd功耗为300 W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为75 A，正向跨导最小值为30 S，下降时间为60 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IXFH75N10Q是MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于28ns，提供Id连续漏电流功能，例如75A，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为300 W，漏极-源极电阻Rds为20 mOhms，上升时间为65 ns，系列为IXFH75N10，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为65ns，典型接通延迟时间为31ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXFH75N15，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXFH75N15采用TO247封装，是IC芯片的一部分。
