9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH35N30，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH35N30参考价格为36.088美元。IXYS IXFH35N30封装/规格：MOSFET N-CH 300V 35A TO247AD。您可以下载IXFH35N30英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFH34N65X2带有引脚细节，包括管封装，其设计用于0.056438盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供HiPerFET等商品名功能，封装外壳设计用于to-247-3以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置是单一的，该器件提供540 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为45 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为34 A，Vds漏极-源极击穿电压为650 V，Vgsth栅极-源极阈值电压为2.7V，Rds导通漏极-源极电阻为105mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为47ns，典型接通延迟时间为46ns，Qg栅极电荷为56nC，正向跨导Min为14S，沟道模式为增强。
IXFH34N50P3是MOSFET Polar3 HiPerFET功率MOSFET，包括500 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.056438盎司的单位重量运行，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供HyperFET等商品名功能，技术设计用于Si，以及IXFH34N40系列，该器件也可以用作180mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，包装为管式，装置采用TO-247-3包装盒，装置具有安装式通孔，Id连续漏电流为34 a。
IXFH34N80，电路图由IXYS制造。IXFH34N80采用TO247封装，是IC芯片的一部分。
