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IXFH12N90P是MOSFET PolarHV HiPerFET 500V-1.2Kv Red Rds，包括IXFH12N90系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.229281盎司的数据表注释中，该产品提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为380 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为68 ns，上升时间为34 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为12A，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.5V至6.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为900m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型导通延迟时间为32ns，Qg栅极电荷为56nC，并且前向跨导Min为8.2S，并且信道模式为增强。
IXFH12N90是MOSFET 900V 12A，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在900 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如18 ns，典型的关闭延迟时间设计为51 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFH12N90系列，上升时间为12ns，漏极电阻Rds为1.1欧姆，Pd功耗为300W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为12 A，正向跨导最小值为12 S，下降时间为18 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IXFH13N100是MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO-247，包括增强信道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于32 ns，提供Id连续漏电流特性，例如12.5 a，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为300 W，漏极-源极电阻Rds为900 mOhms，上升时间为33 ns，系列为IXFH13N100，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为62ns，典型接通延迟时间为21ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Vgs栅极-源极电压为20V。
