9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH22N55，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH22N55参考价格为6.076美元。IXYS IXFH22N55封装/规格：MOSFET N-CH 550V 22A TO247AD。您可以下载IXFH22N55英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFH22N50P是MOSFET N-CH 500V 22A TO-247，包括IXFH22N60系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及TO-247-3封装盒，该设备也可作为Si技术使用。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为350W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为21ns，上升时间为25ns，Vgs栅源电压为30V，Id连续漏极电流为22A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为270mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为72ns，典型接通延迟时间为22ns，正向跨导最小值为20S，沟道模式为增强。
IXFH21N50Q是MOSFET 21安培500V 0.25 Rds，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于500 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为51 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFH21N50系列，上升时间为28 ns，漏极电阻Rds为250 mOhms，Pd功耗为280 W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为21A，下降时间为12ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFH21N50F，电路图由IXYS制造。IXFH21N50F采用TO-247封装，是IC芯片的一部分，N沟道500V 21A（Tc）300W（Tc）通孔TO-247（IXFH），Trans-MOSFET N-CH Si 500V 21A 3引脚（3+Tab）TO-247AD。
IXFH22N50是由IXYS制造的MOSFET N-CH 500V 22A TO-247。IXFH22N50在TO-247-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 500V 22A TO-247。
