9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH6N90，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH6N90参考价格为0.442美元。IXYS IXFH6N90封装/规格：MOSFET N-CH 900V 6A TO247AD。您可以下载IXFH6N90英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFH6N120P是MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A，包括IXFH6N220系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.056438盎司，具有通孔等安装方式特征，商品名设计用于POLAR HIPERFET，以及to-247-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为1 N信道晶体管类型，该器件具有250W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏电流为6 a，Vds漏极-源极击穿电压为1200V，第Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.75欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为24ns，Qg栅极电荷为92nC，正向跨导最小值为3S，沟道模式为增强。
IXFH6N100Q是MOSFET 6安培1000V 2 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于1000 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为22 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFH6N100系列，上升时间为15 ns，漏极电阻Rds为1.9欧姆，Pd功耗为180 W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为6 A，下降时间为12 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFH6N120是MOSFET 6 Amps 1200V 2.4 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了18 ns的下降时间，提供了连续漏电流特性，如6 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件有一个封装管，Pd功耗为300W，Rds漏极-源极电阻为2.6欧姆，上升时间为33纳秒，系列为IXFH6N120，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为42ns，典型接通延迟时间为28ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为1200V，Vgs栅极-源极电压为20V。
