9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH10N90，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH10N90参考价格为6.662美元。IXYS IXFH10N90封装/规格：MOSFET N-CH 900V 10A TO247AD。您可以下载IXFH10N90英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如IXFH10N90价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IXFH10N80P是MOSFET N-CH 800V 10A TO-247，包括IXFH10N60P系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.229281盎司的数据表注释中，该产品具有通孔等安装方式功能，商品名设计用于PolarHV HiPerFET，以及TO-247-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为300 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为22纳秒，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为10A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极阈值电压为5.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.1欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为62ns，典型导通延迟时间为21ns，Qg栅极电荷为40nC，正向跨导最小值为7S，并且信道模式是增强。
IXFH10N100P是MOSFET 10 Amps 1000V，包括6.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于1000 V，具有0.229281 oz等单位重量特性，典型的开启延迟时间设计为38 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以Polar HiPerFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXFH10N100P，上升时间为45ns，漏极-源极电阻Rds为1.4欧姆，Qg栅极电荷为56nC，Pd功耗为380W，封装为Tube，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为10A，正向跨导最小值为4.2 S，下降时间为75 ns，通道模式为增强型。
IXFH10N100是MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于32 ns，提供正向跨导最小特性，如10 S，Id连续漏电流设计为在10 a下工作，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为通孔，器件提供1个通道数量的通道，器件具有TO-247-3封装盒，封装为管，Pd功耗为300 W，漏极电阻Rds为1.2欧姆，上升时间为33 ns，系列为IXFH10N100，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为62ns，典型接通延迟时间为21ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Vgs栅极-源极电压为20V。
