9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXM61N03FTC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXM61N03FTC参考价格$2.202。Diodes Incorporated ZXM61N03FTC封装/规格：MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3。您可以下载ZXM61N03FTC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZXM61N03FTA是MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3，包括ZXM61N03系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道、金属氧化物，最大功率为625mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为150pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为1.4A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为220mOhm@910mA，10V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为4.1nC@10V，Pd功耗为625mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2.5ns，上升时间为2.5ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为1.4A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为220mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为5.8ns，典型导通延迟时间为1.9ns，沟道模式为增强。
ZXM61N03F，带有ZETEX制造的用户指南。ZXM61N03F采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
ZXM61N03FTA/N03，电路图由30000ZETEX制造。ZXM61N03FTA/N03采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
