9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ZXM61P02FTC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXM61P02FTC参考价格为1.046美元。Diodes Incorporated ZXM61P02FTC封装/规格：MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3。您可以下载ZXM61P02FTC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZXM61P02FTA是MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3，包括ZXM61P02系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为625mW，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为150pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为900mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为600mOhm@610mA，4.5V，Vgs的最大Id为700mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为3.5nC@4.5V，Pd功耗为625mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为6.7 ns，上升时间为6.7ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为-900mA，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为900m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为11.2ns，典型导通延迟时间为2.9ns，沟道模式为增强型。
ZXM61P02F，带有GP/DIODES制造的用户指南。ZXM61P02F在SOT23封装中提供，是FET的一部分-单个。
ZXM61P02FTA/P02，带有ZETEX制造的电路图。ZXM61P02FTA/P02采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
