9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXM62P03GTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXM62P03GTA参考价格为3.156美元。Diodes Incorporated ZXM62P03GTA封装/规格：MOSFET P-CH 30V 2.9A/4A SOT223。您可以下载ZXM62P03GTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXM62P03E6TA是MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6，包括ZXM62P0系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000529盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOT-23-6，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单四漏极，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有625 mW的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为6.4 ns，上升时间为6.4纳秒，Vgs栅源电压为12 V，Id连续漏极电流为1.5A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Rds导通漏极-电源电阻为230mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为13.9ns，典型接通延迟时间为2.8ns，沟道模式为增强。
ZXM62P03E6TC是MOSFET 30V P Chnl HDMOS，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000529盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如2.8 ns，典型的关闭延迟时间设计为13.9 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为ZXM62系列，器件的上升时间为6.4 ns，漏极-源极电阻Rds为230 mOhms，Pd功耗为625 mW，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-23-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为1.5 A，下降时间为6.4 ns，配置为单四漏，通道模式为增强。
ZXM62P03E6CT（带电路图）ZXM62P03 E6CT以SOT-23-6封装形式提供，是FET的一部分-单个，支持MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-3。
