9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXM66P02N8TC,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXM66P02N8TC参考价格为10.76美元。Diodes Incorporated ZXM66P02N8TC封装/规格:MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO。您可以下载ZXM66P02N8TC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如ZXM66P02N8TC价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
ZXM66P02N8TA是MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC,包括ZXM66系列,它们设计用于卷筒包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.002610盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,封装盒设计用于SOIC-8,以及Si技术,该器件还可以用作1信道数信道。此外,该配置为单四漏三源,该器件为1 P沟道晶体管类型,该器件具有2.5 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为98.4 ns,上升时间为44.3 ns,Vgs栅源电压为12 V,Id连续漏极电流为-8A,Vds漏极-源极击穿电压为-20V,Rds导通漏极-漏极电阻为45m欧姆,晶体管极性为P沟道,典型关断延迟时间为118.4ns,典型接通延迟时间为14ns,沟道模式为增强。
ZXM66P02N8,带有Zetex制造的用户指南。ZXM66P02N8在SOP8封装中提供,是FET的一部分-单个。
ZXM66P02N8T,带有ZETEX制造的电路图。ZXM66P02N8T采用SOP8封装,是FET的一部分-单个。