9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ZXMN10A07FTC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN10A07FTC参考价格为0.446美元。Diodes Incorporated ZXMN10A07FTC封装/规格：MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3。您可以下载ZXMN10A07FTC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如ZXMN10A07FTC价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
ZXMN10A07FTA是MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3，包括ZXMN10A007系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为625mW，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为138pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为700mA（Ta），最大Id Vgs上的Rds为700mOhm@1.5A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为2.9nC@10V，Pd功耗为625mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为1.5 ns，上升时间为1.5ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为800mA，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为900m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为4.1ns，典型导通延迟时间为1.8ns，沟道模式为增强。
ZXMN0545G4TA是MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223，包括3V@1mA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于450 V，提供单位重量功能，如0.000282 oz，典型开启延迟时间设计为7 ns，以及16 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的SOT-223，系列为ZXMN0545，上升时间为7 ns，Rds On Max Id Vgs为50 Ohm@100mA，10V，Rds On Drain Source电阻为50 Ohms，功率最大值为2W，Pd功耗为2 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为TO-261-4，TO-261AA，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，输入电容Ciss Vds为70pF@25V，Id连续漏极电流为140mA，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为10 ns，漏极到源极电压Vdss为450V，25°C电流连续漏极Id为140mA（Ta），配置为单通道，通道模式为增强型。
ZXMN10A072TA，带有ZETEX制造的电路图。ZXMN10A072TA以SOT23-6封装形式提供，是IC芯片的一部分。
ZXMN10A07F，带有ZETEX制造的EDA/CAD模型。ZXMN10A07F采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
