9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN10B08E6TC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN10B08E6TC参考价格为0.926美元。Diodes Incorporated ZXMN10B08E6TC封装/规格：MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26。您可以下载ZXMN10B08E6TC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMN10B08E6TA是MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6，包括ZXMN10系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000529盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOT-23-6，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-26，配置为单四漏极，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.1W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为100V，输入电容Ciss Vds为497pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为1.6A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为230 mOhm@1.6A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为9.2nC@10V，Pd功耗为1.1 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为2.1纳秒，上升时间为2.1 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.9 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds导通-漏极电阻为230毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12.1纳秒，典型开启延迟时间为2.9ns，信道模式为增强。
ZXMN10A25KTC是MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供典型的开启延迟时间功能，如4.9 ns，典型的关闭延迟时间设计为17.7 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为ZXMN10A系列，该器件的上升时间为3.7ns，漏极-源极电阻Rds为125mOhms，Qg栅极电荷为9.6nC，Pd功耗为2.11W，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-2，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为6.4 A，下降时间为9.4 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
ZXMN10A25GTA是MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223，包括增强型沟道模式，它们设计用于单双漏极配置，下降时间显示在数据表注释中，用于9.4 ns，提供Id连续漏极电流功能，如4 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用SOT-223-3封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为3.9W，Rds漏极-源极电阻为125mOhm，上升时间为3.7ns，系列为ZXMN10A，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为18ns，典型接通延迟时间为4.9ns，单位重量为0.000282盎司，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极电压为20V。
ZXMN10B08E6，带有ZETEX制造的EDA/CAD模型。ZXMN10B08E6在SOT163封装中提供，是FET的一部分-单个。
