9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN2A01FTC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN2A01FTC参考价格为0.716美元。Diodes Incorporated ZXMN2A01FTC封装/规格：MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3。您可以下载ZXMN2A01FTC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZXMN2A01FTA是MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3，包括ZXMN2A系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道、金属氧化物，最大功率为625mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为303pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为1.9A（Ta），最大Id Vgs的Rds为120 mOhm@4A，4.5V，Vgs最大Id为700mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为3nC@4.5V，Pd功耗为625 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5.21 ns，上升时间为5.21ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为2.2A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds导通漏极-漏极电阻为225mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为7.47ns，典型导通延迟时间为2.49ns，沟道模式为增强。
ZXMN2A01E6TA是MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000529盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如2.49 ns，典型的关闭延迟时间设计为7.47 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为ZXMN2系列，该器件的上升时间为5.21ns，漏极-源极电阻Rds为225mOhms，Pd功耗为1.1W，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-23-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为3.1 A，下降时间为5.21 ns，配置为单四漏，通道模式为增强。
ZXMN2A01FTA/7N2，电路图由30000ZETEX制造。ZXMN2A01FTA/7N2在SOT23-3封装中提供，是IC芯片的一部分。
