9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ZXMN2A03E6TC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN2A03E6TC参考价格为2.44美元。Diodes Incorporated ZXMN2A03E6TC封装/规格：MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6。您可以下载ZXMN2A03E6TC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMN2A03E6TA是MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT-23-6，包括ZXMN2A系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.000529盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOT-23-3，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-6，配置为单四漏极，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.1W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为837pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为3.7A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为55 mOhm@7.2A，4.5V，Vgs最大Id为700mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为8.2nC@4.5V，Pd功耗为1.1W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为5.7纳秒，上升时间为5.7 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为4.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds导通-漏极电阻为100毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18.5纳秒，典型开启延迟时间为4.7ns，信道模式为增强。
ZXMN2A02X8，带有ZETEX制造的用户指南。ZXMN2A02X8在SOP-8封装中提供，是FET的一部分-单个。
ZXMN2A02X8TA是由DIODES制造的MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP。ZXMN2A02X8TA采用8-TSSOP，8-MSOP（0.118“，3.00mm宽）封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP，N-通道20V 6.2A（Ta）1.1W（Ta）表面安装8-MSOP。
ZXMN2A03，带有ZETEX制造的EDA/CAD模型。ZXMN2A03在SOT23-6封装中提供，是FET的一部分-单个。
