9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN3A01FTC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN3A01FTC参考价格为0.586美元。Diodes Incorporated ZXMN3A01FTC封装/规格：MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3。您可以下载ZXMN3A01FTC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZXMN3A01FTA是MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3，包括ZXMN3A01系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道、金属氧化物，最大功率为625mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为190pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为1.8A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为120 mOhm@2.5A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为3.9nC@10V，Pd功耗为625 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2.3 ns，上升时间为2.3ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为2A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为180mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为6.6ns，典型导通延迟时间为1.7ns，沟道模式为增强。
ZXMN3A01F，带有GP/ZETEX制造的用户指南。ZXMN3A01F在SOT23封装中提供，是FET的一部分-单个。
ZXMN3A01FTA/7N3，电路图由30000ZETEX制造。ZXMN3A01FTA/7N3采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
